（霍尔效应实验报告）霍尔效应实验报告kh大约多少

霍尔效应法测定螺线管轴向仪器上布kh值是多少 (一)

优质回答在由加州大学圣巴巴拉分校的David Awschalom (主页)及其同事以及来自宾西法尼亚州立大学的合作者们进行的一项新实验中，电子流被注入到非磁性的半导体中，半导体将不同自旋的电子分开，其中自旋向上的电子从左边出来而自旋向下的电子从右边出来。他们同时还证明了可以在室温下仅用电场就可以将电子极化（电子自旋取向平行），这对发展自旋电子学（电子的自旋和电荷都可以用来储存和传递信息）是非常有帮助的。

奇怪的是，Awschalom的新结果——它显示出甚至在室温下都可以产生自旋流——并不是在砷化镓（Gallium Arsenide）中被观察到的，而先前大多数的自旋霍尔效应均是在这种材料中被观察到的。这一次的发现是在硒化锌（Zinc Selenide）中观察到的，这种材料通常被认为对于用电场来极化的效率并不是很高。

Awschalom认为，现在发现效应本来应该小的材料中居然会有较强的自旋霍效应存在的证据，这必将导致一场关于如何解释自旋霍尔效应的大讨论。这个实验是经典霍尔效应的自旋版本，经典霍尔效应的发现最早可以追溯到十九世纪。

在经典的霍尔效应中，材料中纵向运动的电子在外加电场以及横向磁场的作用下，会被偏转到样品的一边。两年前物理学家们发现一类霍尔效应可以被用来操控电子的自旋（朝上或朝下），这样即使样品边缘没有电荷的堆积，也可能存在自旋的积聚。

大学物理实验霍尔效应报告 (二)

优质回答霍尔感应的是垂直于其芯片表面的磁场强度，所以要注意的是放置的位置要垂直于磁力线方向，这样测量的结果才会较准。

霍尔效应测磁场,只能测出垂直于电流方向的磁场.所以,必须保证电流方向与磁场方向垂直,否则测出的磁场只是垂直于电流方向的分量,测量值偏小.

综上,电流方向应与磁场方向垂直,或者转动霍尔元件方向直到示数最大.

霍尔元件灵敏度是多少 (三)

优质回答一般霍尔元件灵敏度是0.1~0.5mV/(mA.G)之间。

早在1879年人们就在金属中发现了霍尔效应，1910年就有人用铋制成了霍尔元件，用以测量磁场。但由于这种效应在金属中十分微弱，当时并没有引起什么重视。

1948年后，由于半导体技术的迅速发展，人们找到了霍尔效应较为显著的半导体材料——锗（Ge），接着，在1958年前后，人们又对化合物半导体——锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）进行了大量的研究，并制成了较为满意的元件。

这时霍尔效应以及它所具有的广泛的应用才受到了人们普遍的重视。

扩展资料：

霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。一般用于电机中测定转子转速，如录像机的磁鼓，电脑中的散热风扇等；是一种基于霍尔效应的磁传感器，已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到广泛的应用。

霍尔元件是一种基于霍尔效应的器件，它可以见到到磁场的变化，这个特性使得它应用广泛。以滑盖手机为例，当手机盖侧的磁铁靠近手机侧的霍尔元件时，会产生霍尔电压，然后进行放大给手机的CUP处理，比如关闭屏幕等动作。

参考资料来源：百度百科- 霍尔元件

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